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晶片級(jí)器件、芯片X射線輻照儀
更新時(shí)間:2024-07-23
產(chǎn)品型號(hào):CHIRAD165
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
生產(chǎn)地址:
產(chǎn)品特點(diǎn):用途:該儀器可適用不同種類器件的輻照,適用于器件輻射效應(yīng)提參建模的試驗(yàn)平臺(tái),在器件設(shè)計(jì)、流片階段給出加固建議,評(píng)估抗輻射性能。為晶片級(jí)器件輻照、提參提供試驗(yàn)條件,形成面向抗輻射器件研制全過程的輻射效應(yīng)試驗(yàn)評(píng)估、提參建模共性技術(shù)服務(wù)平臺(tái),為元器件設(shè)計(jì)加固工藝的發(fā)展提供試驗(yàn)技術(shù)支撐。
晶片級(jí)器件、芯片X射線輻照儀
用途:該儀器可適用不同種類器件的輻照,適用于器件輻射效應(yīng)提參建模的試驗(yàn)平臺(tái),在器件設(shè)計(jì)、流片階段給出加固建議,評(píng)估抗輻射性能。為晶片級(jí)器件輻照、提參提供試驗(yàn)條件,形成面向抗輻射器件研制全過程的輻射效應(yīng)試驗(yàn)評(píng)估、提參建模共性技術(shù)服務(wù)平臺(tái),為元器件設(shè)計(jì)加固工藝的發(fā)展提供試驗(yàn)技術(shù)支撐。
系統(tǒng)參數(shù)
1. X射線球管最高電壓:160kV
2. 線束角度: 40°
3. 系統(tǒng)最大功率:6000W
4. X射線球管焦點(diǎn)尺寸:5.5 mm
5. 可調(diào)整照射距離(SSD):OEM,以最終設(shè)計(jì)為準(zhǔn)
6. 劑量控制:配置實(shí)時(shí)劑量監(jiān)控儀,劑量率、累積劑量,輻照時(shí)間實(shí)時(shí)顯現(xiàn)。劑量率檢測(cè)范圍最大>600gy/min。
7. 冷卻器:集成的閉合回路熱交換器
8. 載物臺(tái):電動(dòng)操作
9. 控制:PLC控制
10. 儀器具備門機(jī)連鎖和警示燈,確保使用安全性。
11. 同軸槽型常高溫吸附卡盤(OEM)
12. 卡盤XY位移平臺(tái),Z軸快速升降,帶微調(diào)升降,卡盤可旋轉(zhuǎn)±45°
13. PSM1000顯微鏡、HDMI接口高清(200萬像素)CCD(可選配其他)
14. 顯微鏡XY位移平臺(tái)2"*2"
15. 防震桌900mm*800mm(最終尺寸以實(shí)際為準(zhǔn))
16. 三軸接口探針座
17. 空氣壓縮機(jī)
18. 可選配高低溫同軸卡盤、半自動(dòng)探針臺(tái)、干燥空氣系統(tǒng)等。
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